基于超薄外延技术的双扩散新型D-RESURF LDMOS设计
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2 器件的仿真优化设计
设计中应用MEDICI、Tsuprem4软件对器件进行优化。在符合4．5μm薄外延的工艺条件下，为改善器件表面电场，使器件最高耐压大于700V的设计要求，对P-top注入剂量与结构尺寸进行了仿真优化设计。同时，分析了漂移区浓度对击穿电压和导通电阻的影响，通过仿真得出最佳浓度分布范围。
2．1 P-top注入剂量与结构尺寸的仿真优化
由于在纵向P-top降场层的结深都很浅，所以其浓度变化可以忽略不计。在这里主要分析P-top降场层沿x方向的一维模型，多环注入时杂质浓度分布为R(x，t)，Cfo(x，t)和Cfi(x，t)分别是当推结时间(T)后的第一个环和第i个环的杂质浓度分布，其公式为：
通过公式可以调节在版图中P-top环的窗口尺寸和间距的大小，实现P-top降场层的线性变掺杂。考虑工艺制作水平和误差等因素，为避免出现工艺失真，窗口的尺寸和间距不易太小，但如果窗口的间距太大，就不易实现降场层的线性变掺杂，因此需选取合适的窗口尺寸和间距。经过仿真设计与实际测试，得到两组具体的窗口尺寸，见表1。本文引用地址：//www.cghlg.com/article/166181.htm
对P-top降场层的注入剂量和窗口尺寸进行优化设计，其模拟结果如图4所示，由图可见窗口尺寸较小时(A结构)更近似为线性变掺杂，其浓度在2．2E13cm-3～3E13cm-3范围内都满足器件击穿电压大于700V，而窗口尺寸较大的B结构注入剂量只在2．3E13cm-3～2．8E13cm-3范围内才满足器件击穿电压大于700V，显然其变化范围较小，提高了工艺的复杂程度，所以这里选取A结构中最优值2．5E13cm-3进行工艺设计。
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