2．4GHz 0．35-μm CMOS全集成线性功率放大器设计

2 射频放大器电路结构设计
本射频功率放大器采用两级设计，电路如图3所示。第一级的共源共栅结构是模拟电路中常采用的一种电路设计技术，它能大幅提高输出阻抗，很大程度上提高电压增益，降低输入级的Miller效应，提高输入和输出的隔离度，降低晶体管击穿电压的压力，但此结构在一定的击穿电压和供电电压的情况下，降低了输出电压摆幅。第二级采用共源结构实现功率放大，这种结构可以充分利用大电压摆幅，降低对输出电流的要求，一定程度上减少晶体管的直流损耗。

在放大电路中NM1、NM2、L1、C1构成第一级放大，M1、M2组成共源共栅结构，L1在低频时提供直流偏置，在高频时与C1谐振，形成高阻抗。如果要L1与M2漏极寄生电容和后级输入电容谐振，L1无法片上集成，再者电路整体性能变差。L3、L4、C3构成T形匹配网络，提供合理的S11参量，C4起到两级电路间交流耦合的作用，L5、C5是级间匹配网络，提供级间最佳功率传输。NM3、L2、C2构成输出级，提供大功率输出，L2、C2在高频时谐振，提供高输出阻抗。由于L2只与M3漏极寄生电容谐振，L2很大，占用芯片面积较大，所以另加电容C2，以减少L2的量值。C6是隔直电容，L6、C7是输出匹配网络，提供最优输出功。