「电路分析」PWM速度控制3：2QD系列的开发

这是有关PWM控制器设计的系列文章中的第三篇。

电源开关Tr1已经被20mA电流源取代。有一个12v齐纳二极管来稳定内部电源。这是一种良好的通用电源，比集成调节器更好，原因如下：

1. 它的最大工作电压仅受串联晶体管Tr1中的电压击穿和功耗的限制。

2. 注入电源线的杂散信号被齐纳钳位。正常情况下，调节器集成电路不钳制它们的输出电压，如果有信号进入，输出电压将上升，直到出现故障。

3. 它本质上是故障安全的。几乎任何影响电源电压且功率足够大的异常情况都会使箝位齐纳过载。齐纳往往会出现短路故障，在电源中起到撬棍的作用。

我们失去了旧电路中的MOSFET，Tr12的感觉。相反，Vds（开）的MOSFET被馈送到IC1d的引脚10，在那里它与来自内部12v电源的电压进行比较。

旧电路的“问题”是它使用晶体管的Vbe，所以不能感应Vds（开）小于500毫伏。所以电流限制不是很可调。新的比较器使用了一个比较器，可以有效地感应到零伏ds（开）通过改变针脚11上的参考电压。

第5部分对限流电路进行了更详细的描述，其中提到了较新的NCC电路。然而，这两个系统本质上是相同的，但是NCC电路用晶体管钳制感测电压，这个电路通过从栅极驱动波形驱动它来关闭感测除法器。唯一的缺点是，一些制造的LM339对其输入端的负向峰值极为敏感。这是众所周知的“特性”，从10号脚到地的反向偏压二极管就是用来钳制这种尖峰的。它是不够的一些制造的LM339！

注意引脚11参考偏置分配器中存在二极管。感应管的底部有一个漏极二极管。在偏压网络的下臂也包括一个，这意味着由于环境温度变化而产生的任何温度效应不仅会影响传感臂，还会影响偏压臂，因此会抵消。

还要注意Tr6的切换。如果这是关闭的，高侧mosfet永远不能打开，结果是它们充当二极管，因此没有再生的可能。然而，尽管这是可行的，但并不建议这样做，因为二极管（如MOSFET）在导电时比有源MOSFET（作为两个电流方向的纯电阻）下降的电压要高得多。结果是控制器效率低下，或者简单地说，飞轮mosfet变得非常热，因此需要良好的散热。