- 目前台积电先进封装CoWoS的制程瓶颈在于硅穿孔（TSV）技术，TSV硅穿孔芯片堆栈并非打线接合，而是在各逻辑芯片钻出小洞，从底部填充入金属，使其能通过每一层芯片。再以导电材料如铜、多晶硅、钨等物质填满，形成连接的功能，最后将晶圆或晶粒薄化加以堆栈、结合（Bonding），作为芯片间传输电讯号用之立体堆栈技术。随着IC设计业者继续将更多的逻辑、内存和特殊功能芯片整合到先进的2.5D和3D封装中，每个封装中的TSV互连导线数量扩展到数千个。为整合更多的互连导线并容纳更高的芯片堆栈，需将硅穿孔变得更窄、更高，
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异质整合 应用材料 IC封装 CoWoS
- 应用材料发布新技术与能力，帮助客户加速实现异质芯片设计与整合的技术蓝图。应用材料结合先进封装与大面积基板技术，与产业合作伙伴携手开发新解决方案，大幅改善芯片功率、效能、单位面积成本与上市时间(PPACt)。 应用材料公司加速异质的设计和整合异质整合让不同技术、功能与尺寸规格的芯片得以整合在一个封装中，让半导体与系统业者获得前所未有的设计与制造弹性。应用材料公司是全球最大的先进封装技术供货商，产品线囊括蚀刻(ETCH)、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、电镀(ECD)、化学机械研磨(
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应用材料 异质整合
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