首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   betway88必威体育   E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> vishay

vishay 文章 进入vishay技术社区

Vishay推出新款精密薄膜MELF电阻,可减少系统元器件数量,节省空间,简化设计并降低成本

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,通过AEC-Q200认证的0102、0204和0207封装薄膜MELF电阻推出提高阻值范围的精密版器件--- MMU 0102、MMA 0204和MMB 0207。Vishay Beyschlag 的这三款器件的温度系数(TCR)低至 ± 15 ppm/K,公差仅为 ± 0.1 %,阻值高达10 MW,满足各种应用高稳定性和高可靠性的要求。与之前的薄膜MELF电阻产品相比,日前发布的器件阻值显著提高。例如,TCR为 ± 25 pp
  • 关键字: Vishay  精密薄膜MELF电阻  MELF电阻  

Vishay全集成接近传感器荣获2024年度中国IoT创新奖和2024年度EE Awards亚洲金选奖

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,公司的VCNL36828P全集成接近传感器荣获两项行业大奖。器件分别获得2024年度中国IoT创新奖的“IoT年度产品奖”以及2024年度 EE Awards亚洲金选奖的“年度最佳传感器奖”。IoT创新奖由领先的电子科技媒体《电子发烧友网》主办,已连续成功举办八届,旨在表彰过去一年推出的对物联网行业产生深远影响的产品和技术。EE Awards亚洲金选奖由全球技术电子领域最大的媒体集团AspenCore主办,旨在表彰为亚洲电子行业的
  • 关键字: Vishay  接近传感器  

Vishay推出应用于对安全要求极高的电子系统的新款1 Form A固态继电器

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款1 Form A固态继电器---VOR1060M4,该器件采用薄形SOP-4封装,提供600 V负载电压和3750 VRMS隔离电压。Vishay  VOR1060M4旨在为储能、工业和移动应用提供快速开关,可提供0.3 ms的快速导通时间(典型值)和2 nA的低漏电流。日前发布的这款光隔离器件采用先进的红外发射器和光电二极管,导通时间快,非常适合对安全要求极高的应用。固态继电器的漏电流较低,使器件可在敏感的低电
  • 关键字: Vishay  1 Form A  固态继电器  

Vishay推出性能先进的新款40V MOSFET

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用PowerPAK® 10x12封装的新型40 V TrenchFET® 四代n沟道功率MOSFET---SiJK140E,该器件拥有优异的导通电阻,能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。与相同占位面积的竞品器件相比,Vishay Siliconix SiJK140E的导通电阻降低了32 %,同时比采用TO-263-7L封装的40 V MOSFET的导通电阻低58 %。日前发布的这款器件在10 V电压下的典型导通电阻低至0
  • 关键字: Vishay  MOSFET  

Vishay推出采用TO-263(D2PAK)封装,具有多脉冲处理能力的车规级表面贴装厚膜功率电阻器

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布, 推出TO-263(D2PAK)封装新型车规级表面贴装厚膜功率电阻器---D2TO35M。Vishay Sfernice D2TO35M通过AEC-Q200认证,具有多脉冲处理能力,25 °C壳温下功率耗散达35 W,适用于各种汽车应用。日前发布的器件功率耗散和稳定性均优于标准TO-263(D2PAK)封装器件,适用于多脉冲和重复脉冲条件下使用。电阻器25 °C下1000次脉冲最大阻值偏移为2%,100 000次脉冲阻值偏移小于5
  • 关键字: Vishay  多脉冲处理能力  厚膜功率电阻器  

Vishay推出采用eSMP系列SMF(DO-219AB)封装的全新1A和2A Gen 7 1200V FRED Pt超快恢复整流器

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出四款采用eSMP® 系列SMF(DO-219AB)封装的汽车级器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3,进一步扩展其第七代1200 V FRED Pt®超快恢复整流器平台阵容。1 A 和 2 A 整流器针对工业和汽车应用进行了优化,在同类器件中,不仅在反向恢复电荷(Qrr)和正向压降之间实现了权衡,还提供了更低的结电容和更短恢复时间。日前发
  • 关键字: Vishay  超快恢复整流器  

Vishay推出采用eSMP系列SMF(DO-219AB)封装的全新1A和2A Gen 7 1200 V FRED Pt超快恢复整流器

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出四款采用eSMP® 系列SMF(DO-219AB)封装的汽车级器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3,进一步扩展其第七代1200 V FRED Pt®超快恢复整流器平台阵容。1 A 和 2 A 整流器针对工业和汽车应用进行了优化,在同类器件中,不仅在反向恢复电荷(Qrr)和正向压降之间实现了权衡,还提供了更低的结电容和更短恢复时间。日前发
  • 关键字: Vishay  超快恢复整流器  

Vishay推出采用eSMP系列SMF(DO-219AB)封装的全新1A和2A Gen 7 1200V FRED Pt超快恢复整流器

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出四款采用eSMP® 系列SMF(DO-219AB)封装的汽车级器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3,进一步扩展其第七代1200 V FRED Pt®超快恢复整流器平台阵容。1 A 和 2 A 整流器针对工业和汽车应用进行了优化,在同类器件中,不仅在反向恢复电荷(Qrr)和正向压降之间实现了权衡,还提供了更低的结电容和更短恢复时间。日前发
  • 关键字: Vishay  超快恢复整流器  

Vishay新款150V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用PowerPAK® SO-8S(QFN 6x5)封装的全新150 V TrenchFET® Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP,旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。与上一代采用PowerPAK SO-8封装的器件相比,Vishay Siliconix SiRS5700DP的总导通电阻降低了68.3 %,导通电阻和栅极电荷乘积(功率转换应用中MOSFET的关键品质因数(FOM)降低了1
  • 关键字: Vishay  MOSFET  

Vishay推出适用于恶劣环境的紧凑型密封式SMD微调电阻器

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出最新TS7系列单圈表面贴装式陶瓷微调电阻器。TS7的微调器采用6.7 mm x 7 mm的紧凑尺寸,高度为5 mm,非常适合恶劣环境中需要优化电路板空间的应用。TS7系列旨在支持自动化装配和设置流程,提高生产效率,同时缩短时间并降低成本。微调电阻器完全密封,可承受标准电路板清洗处理,从而在严苛的工业、消费和通信环境中确保器件的可靠性。TS7系列在+70 °C时的额定功率为0.5 W,可采用顶部和侧面两种调节方式,可灵活地满足多
  • 关键字: Vishay  SMD  微调电阻器  

Vishay推出的新款高能浪涌限流PTC热敏电阻,可提高有源充放电电路性能

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一系列新型浪涌限流正温度系数(PTC)热敏电阻---PTCEL。Vishay BCcomponents PTCEL高能系列器件最大能量吸收能力达340 J,比高环境温度下竞品器件高五倍,在25 °C(R25)条件下阻值范围宽,具有高电压处理能力,可提高汽车和工业应用中有源充放电电路的性能。日前发布的热敏电阻R25阻值为150 W至1.5 kW,可实现更高效率,并处理高达1200 VDC的最高电压。器件在更高环境温度下的能量吸收
  • 关键字: Vishay  浪涌限流  热敏电阻  充放电电路  

Vishay的采用延展型SO-6封装的新款IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器---VOFD341A和VOFD343A。Vishay VOFD341A和VOFD343A的峰值输出电流分别达3 A和4 A,工作温度高达+125 °C,传播延迟低至200 ns。今天发布的光耦合器包含一个AlGaAs LED(该LED通过光学耦合方式连接到具有功率输出级的集成电路,用于太阳能逆变器和微逆变器)、交流和无刷直流工业电机控制逆变器,以及用于U
  • 关键字: Vishay  IGBT驱动器  MOSFET驱动器  

Vishay推出通过AEC-Q102认证,负载电压达100V的业内先进的1FormA固态继电器

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业内先进的1 Form A固态继电器--- VORA1010M4,该器件通过AEC-Q102认证,负载电压达100 V。Vishay Semiconductors VORA1010M4采用薄型SOP-4封装,典型导通和关断时间达到业内出色的0.1 ms,工作温度可达+125 °C。日前发布的光隔离器件集成关断电路提高关断速度,先进的红外发射器和光电二极管组合阵列实现快速导通。固态继电器具有出色的开关性能,是安全关键性应用的理想
  • 关键字: Vishay  1FormA  固态继电器  

Vishay面向车载以太网推出超小型高可靠性ESD保护二极管

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款采用易于吸附焊锡的侧边焊盘DFN1006-2B小型封装全新车规级双向单路ESD保护二极管---VETH100A1DD1。该器件节省空间,专门用于车载以太网,符合OPEN Alliance 100Base-T1和1000Base-T1规范,钳位电压、动态电阻和电容低,可保护高速数据线免受瞬态电压信号的影响。日前发布的器件占位面积和高度均小于其他标准封装器件。由于采用触发电压 > 100 V的回弹技术(snap-back
  • 关键字: Vishay  车载以太网  ESD保护  二极管  

Vishay推出新型1008封装商用版和车规级功率电感器

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款新型1008封装功率电感器---商用版IHLL-1008AB-1Z和车规级IHLP-1008ABEZ-5A,外形尺寸为2.5 mm x 2.0 mm x 1.2 mm。今天推出的这两款功率电感器性能与更大一级的IHLP®电感器相同,占位面积只有55 %,工作温度高达+165°C,具有宽电感范围和低直流内阻(DCR)。IHLL-1008AB-1Z只有底部是电镀的端子,可缩小基板布局,实现紧凑的板间距,电感典型值0.33 mH
  • 关键字: Vishay  功率电感器  
共560条 1/38 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

vishay介绍

威世(VISHAY)集团成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家,其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [ 查看详细 ]

热门主题

Vishay    树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
必威娱乐平台 杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473