据韩媒报道，近日，三星电子在其内存业务部已完成HBM4内存逻辑芯片的设计，且Foundry已根据该设计正式启动了4nm制程的试生产。待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子将向客户提供其开发的 HBM4 内存样品。此前消息称，除采用自家4nm工艺制造逻辑芯片外，三星电子还将在HBM4上导入1c nm制程DRAM Die，以提升产品能效表现，也方便在逻辑芯片中引入更丰富功能支持。
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12月30日消息，据国外媒体报道称，台积电亚利桑那工厂将于2025年下半年开始量产4nm工艺，苹果、英伟达、AMD 和高通等客户将成为主要受益者。不过，对于消费者来说就不那么友好了，因为如果真是这样的话，那么大家要承担30%涨价。为什么这么说？报道中提到，台积电的4nm工艺将在亚利桑那州工厂的一期（1A）厂区投产，但生产成本预计将比现有的高出30%，这是美国客户需要考虑的问题。据悉，该工厂将负责4nm生产，但这是第一阶段的计划，因为在第二阶段，台积电计划在2028年量产2nm，尽管目前这还有点不确定。按照
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据彭博社援引消息称，台积电美国亚利桑那州晶圆厂项目首座工厂4nm产线的试产良率已与台积电位于台湾地区的南科厂良率相近。台积电在回应彭博社报道的电子邮件中表示，其亚利桑那州项目“正在按计划进行，进展良好”。根据此前的信息显示，台积电美国亚利桑那州的第一座晶圆厂在今年4月中旬完成了第一条生产线的架设，并开始接电并投入基于4nm制程进行工程测试晶圆的生产，而根据彭博社最新的报道来看，基于该生产线的第一批试产的4nm晶圆良率如果与南科厂良率相当，那么表明其后续如果量产，良率将不是问题。根据规划，台积电将在美国亚利
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7月29日消息，高通正式发布了新款移动平台骁龙4s Gen 2，这款芯片定位于入门级市场，采用三星4nm工艺技术。CPU为八核心设计，包括2个最高可达2.0GHz的A78内核和6个A55内核，最高频率为1.8GHz。这款芯片支持Wi-Fi 5、蓝牙5.1、5G NR，以及最高8400万像素的照片拍摄和1080P 60P视频录制，同时兼容FHD+ 90Hz屏幕和最高2133MHz的LPDDR4X运行内存。与前代产品高通骁龙4 Gen 2相比，骁龙4s Gen 2的多项性能参数有所降低，例如CPU大核主频从2
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根据韩国媒体Etnews的报导，晶圆代工大厂三星正在考虑将其设在美国德州泰勒市的晶圆厂制程技术，从原计划的4纳米改为2纳米，以加强与台积电美国厂和英特尔的竞争。消息人士称，三星电子最快将于第三季做出最终决定。报导指出，三星的美国德州泰勒市晶圆厂投资于2021年，2022年开始兴建，计划于2024年底开始分阶段运营。以三星电子DS部门前负责人Lee Bong-hyun之前的说法表示，到2024年底，我们将开始从这里出货4纳米节点制程的产品。不过，相较于三星泰勒市晶圆厂，英特尔计划2024年在亚利桑那州和俄亥
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IT之家 6 月 13 日消息，三星电子在当地时间 6 月 12 日举行的三星代工论坛 2024 北美场上重申，其 SF1.4 工艺有望于 2027 年量产，回击了此前的媒体传闻。三星表示其 1.4nm 级工艺准备工作进展顺利，预计可于 2027 年在性能和良率两方面达到量产里程碑。此外，三星电子正在通过材料和结构方面的创新，积极研究后 1.4nm 时代的先进逻辑制程技术，实现三星不断超越摩尔定律的承诺。三星电子同步确认，其仍计划在 2024 下半年量产第二代 3nm 工艺 SF3。而在更传统的
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这几年，Intel以空前的力度推进先进制程工艺，希望以最快的速度反超台积电，重夺领先地位，现在又重申了这一路线，尤其是意欲通过未来的14A 1.4nm级工艺，在未来巩固自己的领先地位。目前，Intel正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标，Intel 7工艺、采用EUV极紫外光刻技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。其中，Intel 3作为升级版，应用于服务器端的Sierra Forest、Granite Rapids，将在今年陆续发布，其中前者首次采用纯E核设计，最多288个。In
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5 月 10 日消息，韩媒 ZDNet Korea 援引业内人士的话称，三星电子的 AI 推理芯片 Mach-1 即将以 MPW（多项目晶圆）的方式进行原型试产，有望基于三星自家的 4nm 工艺。这位业内人士还表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工艺的可能。三星已为 Mach-1 定下了时间表：今年下半年量产、今年底交付芯片、明年一季度交付基于该芯片的推理服务器。同时三星也已获得了 Naver 至高 1 万亿韩元（当前约 52.8 亿元人民币）的预订单。虽然三星电子目前能提供 3nm 代工，但在 M
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IT之家 4 月 26 日消息，台积电近日展示了全新 4nm 级别生产工艺 N4C，通过显著降低成本和优化设计能效，进一步增强 5nm 级别生产工艺。台积电公司近日举办了 2024 北美技术研讨会，IT之家翻译该公司业务开发副总裁张凯文内容如下：我们的 5nm 和 4nm 工艺周期还未结束，从 N5 到 N4，光学微缩密度改进了 4%，而且我们会继续增强晶体管性能。我们现在为 4nm 技术阵容引入 N4C 工艺，让我们的客户能够消除一些掩模并改进标准单元和 SRAM 等原始 IP 设计，以进一步
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4月11日消息，根据产业链消息，台积电的2纳米和1.4纳米工艺已经取得了新的进展。据了解，台积电的2纳米和1.4纳米芯片的量产时间已经确定。2纳米工艺的试产将于2024年下半年开始，而小规模量产将在2025年第二季度进行。值得一提的是，台积电在亚利桑那州的工厂也将参与2纳米工艺的生产。到了2027年，台积电将开始推进1.4纳米工艺节点，这一工艺被正式命名为"A14"。按照目前的情况，台积电最新的工艺制程很可能会由苹果率先采用。按照台积电的量产时间表，iPhone 17 Pro将成为首批
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IT之家 12 月 1 日消息，台媒科技新报今日发布报告称，高通的下一代旗舰 3nm 骁龙 8 Gen 4 处理器，仍然仅由台积电代工，而非此前传言的台积电和三星双代工模式。报告称，根据最新的行业信息，由于三星对明年 3nm 产能的保守扩张计划和良率不理想，高通已正式取消明年处理器使用三星的计划。双代工模式被推迟到 2025 年。去年 6 月底，三星开始大规模生产第一代 3nm GAA（SF3E）工艺，这标志着三星首次将创新的 GAA 架构用于晶体管技术。第二代 3nm 工艺 3GAP
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据中国台湾经济日报报道，台积电高雄厂正式编定为台积22厂（Fab 22），并且完成该厂2nm营运团队建设。台积电供应链认为，台积电或许可能将高达逾7000亿新台币的1.4nm投资计划转向高雄，但仍视其他县市争取台积电进驻态度及台积电全盘规划而定。报道指出，台积电打破在不同产区同时生产最先进制程的惯例，将高雄厂原计划切入28纳米及7纳米的规划，改为直接切入2纳米。同时在新竹宝山兴建2纳米第一期工厂之际，也立刻于高雄第一期工厂作为生产2纳米制程。此前据TechNews消息，台积电在北部（新竹宝山）、中部（台中
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IT之家 7 月 12 日消息，三星电子 4 纳米工艺的良率目前已经超过 75%，这引发了人们对于三星扩大半导体代工客户的猜测。7 月 11 日，Hi Investment & Securities 研究员朴相佑在一份报告中表示：“三星电子近期成功地提高了 4nm 工艺的成品率”，并提高了“高通和英伟达再次合作的可能性”。此前，三星电子代工厂曾经历过产品上市延迟以及 10nm 以下工艺良率提升缓慢的情况，导致主要客户纷纷转向台积电。结果，去年台积电的资本支出和产能分别是三星电子代工业务的
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三星似乎已经解决了4nm工艺的一系列障碍。据Digitimes报道，三星在第三代4nm工艺的进步可能超出外界预期，从之前的60%提高到70%以上。
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3 月 19 日消息，据台媒《经济日报》报道，台积电美国亚利桑那州厂预计 2024 年量产 4nm，高通全球资深副总裁暨首席营运长陈若文表示，高通将是台积电美国厂 4nm 的首批客户。高通于 3 月 17 日举行新竹大楼落成启用典礼，台积电欧亚业务暨研究发展资深副总经理侯永清出席致意，并参加高通举办的产业高峰会，展现双方的紧密关系。对于媒体关心高通是否评估在台积电亚利桑那州厂投片生产，陈若文说，高通很早就开始评估，高通会是台积电美国厂 4nm 制程的首批客户。去年 12 月，台积电将其对去年底开始建设的亚
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