mosfet为金属氧化物场效应晶体管简称，
可以做线性放大器件应用，更多工作于
开关状态，用于电力电子装置中。开关
频率较高，如几百k甚至10M以上。
与功率晶体管比无二次击穿，
耐过流能力较IGBT佳。
IGBT为绝缘栅双极晶体管简称。是仅次于
MCT的大功率频率积的双极器件。开关频率略低，
典型值30k以下。目前可以到100k。
但电流密度可以很大。用语大功率的直-直、
逆变场合较多。
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