首先,在SiC-MOSFET的组成中,发挥了开关性能的优势实现了Si IGBT很难实现的100kHz高频工作和功率提升。另外,第二代(2G)SiC-MOSFET中,由2个晶体管并联组成了1个开关,但由于第三代(3G)SiC-MOSFET导通电阻更低,晶体管数得以从8个减少到4个。关于效率,采用第三代(3G)SiC-MOSFET时的结果最理想,无论哪种SiC-MOSFET的效率均超过Si IGBT。SiC-MOSFET应用实例2:脉冲电源脉冲电源是在短时间内瞬时供电的系统,应用例有气体激光器、加速器、X射线、等离子电源等。作为现有的解决方案有晶闸管等真空管和Si开关,但市场需要更高耐压更高速的开关。针对这种市场需求,利用SiC的高耐压和高速性能,实现了超高电压高速开关。从高速性的角度看这是Si IGBT很难实现的。下例是与福岛SiC应用技研株式会社、株式会社京都New-Tronics、国立研究开发法人科学技术振兴机构合作开发,在CEATEC 2014、TECHNO-FRONTIER2015展出的产品。・超高压脉冲电源
特征 ・超高耐压伪N通道 ・低导通电阻 ・高重复频率 应用例 ・荷电粒子加速器 ・医疗用设备电源 ・等离子发生器等
SiC MOSFET
(以往产品的1/100以下)
・1~10kV随机脉冲发生器:13.2kV SiC开关
关键要点:・通过SiC-MOSFET的应用实例,思考SiC-MOSFET的有效性。