A,可以高频化,传统硅在高压下工作频率做不到200K以上.体积下不来,氮化镓可
以做到几M的频率,300K-500K的设计可以使产品小型化.
B,体内没有PN结,没有二极管,但有二极管的续流特性,反向续流损耗大大降低.
C,氮化镓的结电容远小于COOL-MOS, MOSFET,上升,下降,死区损耗明显降低.
D,开关损耗很小,相对MOSFET可忽略.正因开关损耗很小,EMI反好.不用担心高频
化后EMI解决不了事.
传统无桥PFC受硅材料MOSFET的限制,因为MOSFET/COOL-MOS体内均有一个体内二
极管.这个二极管速度很慢,均在100nS以上.这样用在无桥PFC中加大了续流损耗
及效率.
氮化镓MOS的出现(HEMT)解决了这个问题, 氮化镓MOS是体内无真正的二极管,没
有形成PN结,但有导电层,所以内部没有寄生二极管,但有二极管的续流特性,从
而真正作到0.
采用氮化镓的无桥PFC可以将效率做到99.3%以上. 同时体积会大大降低.