环球晶圆40亿美元建厂，获美国至多4亿美元补助

当地时间7月17日，美国商务部宣布与全球第三大半导体晶圆供应商环球晶圆（GlobalWafers）签署了不具约束力的初步备忘录（PMT）。

环球晶圆承诺在美国投资约40亿美元（约合人民币290亿元）建设两座12英寸晶圆制造工厂。美国政府将向环球晶圆提供至多4亿美元（约合人民币29亿元）的《芯片法案》直接补助，以加强半导体元件供应链。

据悉，环球晶圆将在德克萨斯州谢尔曼建立第一家用于先进芯片的300mm硅晶圆制造厂，在密苏里州圣彼得斯建立生产300mm绝缘体上硅（“SOI”）晶圆的新工厂。环球晶圆董事长徐秀兰表示：德州新厂第一阶段投资额约22亿美元，与第二阶段将相连的部分也预先施作，密苏里新厂的第一阶段投资额不到4亿美元。而至多4亿美元的补贴资金，超过九成将投向德州新厂。

此外，作为PMT的一部分，环球晶圆计划将其位于德克萨斯州谢尔曼的现有硅外延晶圆制造工厂的一部分转换为碳化硅（“SiC”）外延晶圆制造，生产150mm和200mm SiC外延晶圆。