氮化镓为何被如此看好，能否替代硅基材料大放异彩？

氮化镓材料相较于硅基材料，显著优势体现在节能、成本节约及材料省用上。其核心亮点在于其超快的开关速度，在硅、碳化硅与氮化镓三者中独占鳌头。这一特性直接促进了开关频率的大幅提升，进而允许大幅缩减被动元器件及散热器的尺寸与数量，有效降低了物料消耗，彰显了氮化镓在物料节省方面的卓越能力。

此外，在效率层面，氮化镓与碳化硅并驾齐驱，通过实现极低的导通阻抗（即单位面积上可达到的最小电阻），相较于硅材料实现了数量级的优化。这种高效的导电性能，是氮化镓提升系统效率的关键所在。

综合上述两方面优势，氮化镓的应用不仅促进了系统性能的整体飞跃，还自然带动了成本的显著降低。因此，氮化镓材料成为提升系统效能、降低成本的不二之选，其应用必要性不言而喻。

据Yole预测，到2026年氮化镓的市场规模将达到约10亿美元，而碳化硅则达到约30亿美元的市场规模。当然，这个数据是不断被刷新的，到2026年，这个数目还有可能会不同，但是整个市场确实正在朝着这个方向不断演进。

一个显著的发展趋势是，市场对宽禁带材料的接纳度持续攀升，预示着其将在更广泛的领域内占据日益重要的市场地位，而硅材料则可能在部分成熟应用中继续发挥其独特作用。与此同时，硅技术的创新步伐亦未停歇，我们观察到，通过探索创新策略，硅材料仍拥有巨大的发展潜力与提升空间。然而，就技术进步的速率而言，采用宽禁带材料的器件展现出了超越传统硅基器件的强劲势头，预示着材料科学的未来发展方向。

英飞凌在成功收购GaN Systems之后，给英飞凌带来最大的好处除了两个公司物料品类的增加以外，还打开了很多技术研发的思路。当然，在成功收购GaN Systems之后，英飞凌的IP储量是业界遥遥领先的。另外，当双方的研发人员以及应用人员合并后，会产生很多思想上的碰撞，有助于英飞凌在研发和推向市场的速率方面大幅度提升了。

在英飞凌未并购GaN Systems之前，其主要产品线聚焦于分立式功率器件（Discrete Power）与集成式功率器件（Integrated Power）两大类别。而并购GaN Systems后，产品线实现了质的飞跃，从原有的两类扩展至更为丰富的五大系列。

这一系列创新产品包括：原分立式器件已转身为CoolGaN Transistor，专指高性能的氮化镓单管； CoolGaN BDS，作为双向开关的杰出代表，展现了其独特的双向控制能力； CoolGaN Smart系列集成了电流检测等先进功能，为智能控制提供了强大支持； CoolGaN Drive则类似于早期的集成驱动器，进一步简化了系统设计； CoolGaN Control作为系统级优化的典范，将控制、驱动与开关功能完美融合，展现了英飞凌在氮化镓材料应用上的前瞻视野与深厚实力。

可以预见的是，未来，硅、碳化硅、氮化镓这三种先进材料将各自在多元化的应用场景中大放异彩，但需明确此预判非绝对定论，因客户认知、市场需求及工程师偏好等因素均存在显著差异。例如，在服务器领域，部分客户倾向于碳化硅的高效性能，而另一部分则坚定地认为氮化镓是功率半导体领域的未来之星，直接选择氮化镓技术绕过碳化硅。这种选择多样性反映了市场需求的多样性与不确定性，同时也强调了材料选择需综合考虑多方因素，包括但不限于厂商策略、技术趋势及终端客户的接受度。

英飞凌CoolGaN™品牌，作为高压开关器件系列的杰出代表，自CoolMOS时代起便承载着英飞凌对品质与创新的承诺。凡是高压（1000V以内，尤其是500V以上）的开关器件，均被赋予了“Cool”之名，这不仅是品牌标识，更是对卓越性能的承诺。

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英飞凌EiceDRIVER栅极门极驱动选型指南

产品简介英飞凌GaN EiceDRIVER™ 系列

应用手册英飞凌USB-C 充电器和适配器