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英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管

作者: 时间:2024-07-12 来源:EEPW 收藏

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者科技股份公司近日推出全新™晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓(GaN)产品相比,该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%,从而提高效率,降低功率损耗,并提供了更具成本效益的解决方案。凭借电气特性与封装的优势结合,它们能够在消费类充电器和笔记本适配器、数据中心电源、可再生能源逆变器、电池存储等众多应用中发挥出色的性能。

本文引用地址://www.cghlg.com/article/202407/460946.htm

该产品系列包含13款器件,额定电压为700 V、导通电阻范围在20 mΩ至315 mΩ之间。由于器件规格粒度增多,再加上PDFN、TOLL、TOLT等多种行业标准封装选项加持,因此客户可以根据应用的要求选择RDS电阻和封装,以更具成本效益的解决方案优化并实现电气与热系统性能。

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™晶体管700 V G4

该系列器件的特点是开启和关闭速度快且开关损耗极小。此外,凭借具有850 V业界最高瞬态电压的700 V E模式,它们能够更好地抵御用户环境中的异常情况(例如电压峰值),提高整个系统的可靠性。

供货情况

采用TOLL、PDFN 5x6和8x8封装的™ 晶体管700 V G4产品现已上市,今年晚些时候还将推出具有更多RDS(on) 以及使用TOLT封装的型号。



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