半导体行业出现六项合作案！

作者：时间：2024-06-03 来源：全球半导体观察

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自半导体行业复苏信号释出后，业界布局不断，其中不乏出现联电、英特尔、Soitec、神盾集团等企业身影，涉及晶圆代工、第三代半导体、芯片设计、半导体材料等领域。针对半导体行业频繁动态，业界认为，这是一个积极的现象，有利于行业发展。近期，半导体企业合作传来新的进展。

本文引用地址：//www.cghlg.com/article/202406/459475.htm

晶圆代工：联电x英特尔曝进展，12nm预计2026年“收官”

5月30日，晶圆代工大厂联电召开年度股东会，共同总经理简山杰表示，与英特尔合作开发12nm制程平台将是联电未来技术发展的关键点，预计2026年开发完成，2027年进入量产。

2024年1月，联电与英特尔宣布双方将合作开发12nm FinFET制程平台，以因应移动、通讯基础建设和网络等市场的快速成长。双方认为，这项长期合作结合英特尔位于美国的大规模制造产能，和联电在成熟制程上丰富的晶圆代工经验，以扩充制程组合，同时提供更佳的区域多元且具韧性的供应链，协助全球客户做出更好的采购决策。

对此，先前联电共同总经理王石曾经表示，联电与英特尔进行在美国制造的12nm FinFET制程合作，是联电追求具成本效益的产能扩张，和技术节点升级策略的重要一环，此举并延续联电对客户的一贯承诺。这项合作将协助客户顺利升级到此关键技术节点，同时受惠于扩展位于北美市场产能带来的供应链韧性。联电期待与英特尔展开策略合作，利用双方的互补优势，以扩大潜在市场，同时大幅加快技术发展时程。

简山杰在本次股东会上指出，联电正开积极开发的12nm FinFET制程技术平台相对于前一代的14nm FinFET制程技术平台，除性能将大幅提升之外，芯片的尺寸也将变小，功耗能进一步降低，可充分发挥FinFET在性能、功耗、以及闸密度所具备的优势、可广泛用于各种半导体产品上。联电预计，12nmFinFET制程技术平台预计2026年开发完成，2027年进入量产。

除了制程研发，联电也正在加速产能进程，5月21日，联电宣布新加坡Fab12i首批机台设备进厂。联电表示，联电新加坡投入12英寸晶圆制造厂营运超过20年，新加坡Fab12i P3厂也是联电先进特殊制程研发中心。

此外，展望2024年第二季，联电表示，随着电脑、消费及通讯领域的库存状况逐渐回到较为健康的水位，联电预期整体晶圆出货量将略为上升。在车用和工业领域方面，由于库存消化速度低于预期，需求仍旧低迷。尽管短期间仍将受到总体经济环境的不确定性和成本压力的影响，联电仍将在技术、产能及人才方面持续投资，以确保我们能够做好充分准备，迎接下一阶段5G和AI创新所驱动的成长。

氮化镓：佳恩半导体x西安电子科技大学

5月28日，青岛佳恩半导体有限公司（以下简称“佳恩半导体”）与西安电子科技大学战略合作签约仪式在青岛举行。

资料显示，青岛佳恩半导体有限公司一直致力于高端半导体功率器件的设计、开发、制造及销售，作为新一代的功率半导体设计公司，佳恩掌握着创新型功率半导体核心技术，拥有自主知识产权和自主品牌。

佳恩半导体表示，此次签约仪式双方就共同研究开展GAN（氮化镓）功率器件结构设计与特性仿真，获得器件优化结构及参数，基于氮化镓器件制造平台开展器件核心工艺实验研究、工艺参数优化及器件样品研制，针对氮化镓功率器件特点，开展器件仿真研究，揭示器件特性与结构的内在关联，开展氮化镓功率器件的栅结构及栅金属、欧姆接触、钝化层等核心工艺研究。

与传统硅材料相比，基于GaN材料制备的功率器件拥有更高的功率输出密度和更高的能量转换效率，并可以使系统小型化、轻量化，有效降低电力电子零部件体积和重量。当前，氮化镓（GaN）应用市场逐步扩展，正向数据中心、可再生能源以及新能源汽车市场持续推进，未来前景广阔。

据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询研究指出，到2026年，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长至13.3亿美金，复合增长率高达65%。

集邦咨询预计，至2025年左右，GaN将小批量地渗透到低功率OBC和DC-DC中，再远到2030年，OEM或考虑将该技术引入牵引逆变器。

碳化硅：X-Fab和Soitec将在美国得州展开合作

近日，Soitec宣布，将与纯晶圆代工厂X-Fab开始合作，在X-Fab位于德克萨斯州拉伯克的工厂提供Soitec的SmartSiC技术用于生产碳化硅功率器件。

此次合作是在评估阶段成功完成之后进行的，在此期间，X-Fab Texas在6英寸SmartSiC晶圆上制造了碳化硅(SiC)功率器件。Soitec将通过联合供应链寄售模式为X-Fab的客户提供SmartSiC衬底的使用权。

据悉，Soitec正在其位于法国格勒诺布尔附近贝尔南的新工厂加大Smart SiC衬底的产量。而X-Fab正在拉伯克工厂提高SiC器件的生产能力。

碳化硅 (SiC) 是一种化合物半导体材料，具有固有特性，在功率应用中比硅具有卓越的性能和效率。随着新能源汽车、光储充等市场需求推动，SiC功率器件用量持续走高。据TrendForce集邦咨询研究，2023年全球SiC Power Device市场规模约30.4亿美元，至2028年有望上升至91.7亿美元，CAGR达25%。

半导体材料：南京大学x江苏富乐德半导体

据东台高新区消息，5月26日，“南京大学—江苏富乐德半导体洗净校企联合研究中心”揭牌仪式在富乐德石英东台工厂举行。

该中心由江苏富乐德石英科技有限公司和南京大学合作共建，双方将围绕“半导体非金属零部件洗净”领域，基于研究团队在化学、材料等技术方向的研发积累，重点聚焦于半导体、太阳能、光刻机相关产业方向展开深入研究，致力于关键技术研发、科技成果转化、高端人才汇聚、智慧应用方案落地。

资料显示，江苏富乐德石英科技有限公司于2018年落户东台高新区，主要从事磁性流体、热电半导体致冷材料与器件、精密石英等产品研发生产和销售，产品广泛应用于半导体芯片、大规模集成电路、汽车、航空航天、医疗器械等行业。

据官网信息，Ferrotec（中国）从事半导体硅片、热电半导体致冷材料与器件、半导体石英制品、精密陶瓷制品、半导体真空传动装置及大型腔体、电子束蒸发镀膜机、精密洗净、覆铜陶瓷基板（DCB、AMB、DPC）、半导体装备、单晶炉等产品的研发、制造和销售，产品涉及电子、半导体、机械加工、太阳能发电、汽车/新能源汽车、家用电器和医疗器械等众多领域。

其中，关于洗净再生技术，Ferrotec（中国）官网指出，该技术是通过化学和物理的方法把精密parts上的膜质或其它粒子清除掉，再运用物理与化学抛光、喷砂、热喷涂和电镀表面处理的方法再生处理parts表面，使其达到循环再使用的功能。Ferrotec（中国）重点洗净项目包括半导体12nm清洗，该公司主要致力研发半导体12nm logic的清洗工艺，并保证工艺稳定性，以达到量产目的。