英特尔(intel)近日宣布,已经接收市场首套具有0.55数值孔径(High-NA)的ASML极紫外(EUV)光刻机,预计在未来两到三年内用于 intel 18A 工艺技术之后的制程节点。 相较之下,台积电则采取更加谨慎的策略,业界预计台积电可能要到A1.4制程,或者是2030年之后才会采用High-NA EUV光刻机。业界指出,至少在初期,High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA
EUV,这也是台积电暂时观望的原因,台积电更倾向于采用成本更低的成熟技术,以确保产品竞争力。Hig
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英特尔 High-NA EUV 台积电
由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal
Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM,
即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。厚度挑战: 需要全新的解决方案组成DRAM的晶体管(Transistor)包括存储数据的单元晶体管(Cell
Transistor)、恢复数据的核心晶体管(Core
Tr
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SK海力士 High-k Metal Gate
一、设计及制作由于普通家庭室.内空间不够宽敞,要求音箱做得尽可能小巧一些,摆放在室内不致引人注意。然而,音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系:no=knmiddot;f33middot;VB上式中,kn是箱体系
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电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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一、变压器的制作中,线圈的机器绕制和手工绕制各有什么优缺点?机器绕制变压器的优点是效率高且外观...
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Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
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市场研究机构Gartner警告,半导体设备产业的研发预算恐怕在接下来的五年内大幅削减80亿美元,使该产业领域陷入危机。不过该机构资深分析师Dean Freeman也表示,研发联盟的兴起将成为救星。
缺乏适当的投资将导致技术蓝图延迟,而且公司恐怕无法做好迎接未来挑战的准备;在目前营收低迷的情况下,半导体设备业正面临着如此的危机点。不过Freeman却认为,在这一轮不景气中最大的不同,就是在过去十年来有不少产业联盟的建立,而这些结盟关系在某些程度上减轻了业者因营收减少对研发所带来的冲击。
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半导体设备 通孔硅 high-k金属闸极
ASM International N.V. 宣布一家台湾晶圆厂为其28 纳米节点high-k 闸极介电层量产制程选择ASM的Pulsar原子层沉积技术(ALD)工具。
除此之外,此家晶圆厂也将与ASM针对最新世代的high-k闸极技术进行制程开发活动。 ASM 在2009年第2季将针对进阶节点开发计划提供额外的 Pulsar 制程模块。该晶圆厂在过去4年也使用ASM的ALD high-K和金属闸极设备来开发其以铪基材料为基础的high-k 闸极制程。
纳米节点上实现成功的high-K制程
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ASM high-k 晶圆
明纬再度于技术上创新突破推出了RSP-3000系列~3000瓦内置外壳型具功率因子矫正(PFC)功能之交换式电源供应器,以满足市场上大瓦数电源的应用需求。本系列机型采用先进的低功率耗损线路,效率最高可达90%,并拥有15.6W/in3之超高功率密度,故于50℃高环温时仍可提供满载功率之输出。RSP-3000特别纳入了输出电压调整的创新设计,藉由外加1~5.5VDC的控制电压可设定输出电压值于20%~110%之原额定输出范
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明纬 PFC 创新 front-end
1 引言
END是嵌入式实时操作系统VxWorks中工作在数据链路层的一种网络驱动模型,该模型定义了与MUX层交互的标准接口,用户只需要根据特定的网络接口硬件特性按要求提供这些接口即可实现END层与网络协议层的通信。END驱动模型的存在,使得VxWorks可以满足嵌入式产品对各种网络接口硬件的适应性和通用性,也使得通过软件模拟的满足END驱动特性的虚拟网络接口成为可能。
在基于总线的分布式多处理器系统中,SM是应用较为广泛的实现多处理器之间的一种通信手段。VxWorks操作系统也提供了对共
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END
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