PN结的形成及工作原理
当P型和N型半导体材料结合时,P 型( N型)材料中的空穴(电子)向N 型( P 型)材料这边扩散,扩散的结果使得结合区形成一个势垒,由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行,当两者达到平衡时,在PN结两侧形成一个耗尽区。
当PN结反偏时,外加电场与内电场方向一致,耗尽区在外电场作用下变宽,使势垒加强;当PN结正偏时,外加电场与内电场方向相反,耗尽区在外加电场作用下变窄,势垒削弱。
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