单电源仪表放大器电路图

V_in

REF Pin

Supply Voltage

Resulting max Gain

R_G
tolerance）

Output Swing
w.r.t 0V

+/- 100mV,V_cm=0V

2V

+5 to +15V

12.0

28.7kΩ

0.8 to 3.2V

+/- 50mV,V_cm=0V

2V

+5 to +15V

23.7

10.7kΩ

0.8 to 3.2V

+/- 10mV,V_cm=0V

2V

+5 to +15V

119.9

1.74kΩ

0.8 to 3.2V

V- = 0V,V₊= 0 to 1V

1V

+10 to +15V

7.5

78.7kΩ

1 to 8.5V

V- =0V,V₊=0 to 100mV

1V

+5 to +15V

31

7.87kΩ

1 to 4.1V

V- =0V,V₊= 0 to 10mV

1V

+5 to +15V

259.1

787kΩ

1 to 3.6V

维持低频时的共模抑制,电容器C₃是必需的。R₁、R₂和C₁、C₂构成桥电路,桥电路的输出与仪表放大器的输入相接。C₁,C₂的任何失配都会导致桥电路失衡并减小共模抑制。C₃确保任何RF信号为共模信号（极性幅值相同地出现在仪表放大器的两个输入端）,并且不会差分输入。第二级低通网络（R₁+R₂和C₃）的- 3dB带宽为1/[2π（R₂+R₁）C₃],将C₃=0.047m F代入,此电路－3dB信号带宽约为400Hz。典型的直流偏移（整个频率范围内）小于1.5m V,电路对RF信号的抑制大于71dB。通过减小R₁、R₂至2.2 kΩ,电路的- 3dB信号带宽可以增至900Hz。 除了在仪表放大器之前的电路必须驱动一个抵阻抗负载外,性能与使用4kΩ时相似。

图9的电路可用一个PCB板来建立,元件引线必须尽可能短,电阻R₁,R₂可为1%金属膜电阻,而电容C₁、C₂必须为±5%容差元件,以避免降低电路的共模抑制。推荐用5%银云母片电容或松下公司的±2%PPS膜电容。