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一片不景气声中 SK海力士仍决定大规模投资

作者: 时间:2016-01-21 来源:Digitimes 收藏
编者按:2016年展望并不乐观,PC市场成长已停滞好几年,连智能型手机市场也出现成长趋缓的迹象,DRAM、NAND Flash的价格也因此持续下跌,这个时候逆势上扬也是下了多大的决心。

  (SK Hynix)继2015年之后,再度决定进行史上最大规模投资。市场不景气与大陆业者强势跨足产业等种种不利因素下,认为只有持续投资,强化技术竞争力,才能克服眼前危机。

本文引用地址://www.cghlg.com/article/201601/286036.htm

  据韩媒亚洲经济报导,SK集团(SK Group)会长崔泰源在2011年购并亏损中的海力士,将设备投资比例大幅提高到10%以上。相对于其他业者因为市况差而不敢投资,却因果断的投资,让过去3年业绩连创新高。

 根据市调机构DRAM eXchange资料,DDR4 4Gb模组2015年6月的价格为3.7美元,之后开始下滑,12月时已跌到2美元。平均销售单价下跌,当然很快营收、营业利益也会跟着下跌。连市场观察家也看衰半导体企业的2016年业绩。

  雪上加霜的是,大陆政府砸大钱扶植半导体产业,2015年大陆国营企业清华紫光集团还以威腾(WD)最大股东的身分,透过威腾间接购并全球第三大NAND Flash业者新帝(SanDisk)。

  SK海力士认为若想克服眼前危机继续成长,就必须强化技术竞争力。就算2016年业绩展望不如前一年,也要维持研发投资的规模,继续制程微细化与下一代存储器的开发。

  SK海力士计划投资进行2z DRAM(20纳米级)与1x DRAM(10纳米级)的开发与量产。透过推出讲究技术的新产品来强化成本竞争力,也借此提高投资效率。为了改善DRAM价格下滑导致的收益衰退,也计划增加高阶产品DDR4与LPDDR4 DRAM的生产与销售。

  NAND Flash方面则计划开发比16纳米更微细的2D架构14纳米产品,以确保竞争力。2015年36层3D NAND Flash初期量产成功,2016年打算正式量产48层产品维持技术领先。同时致力研发属于新成长动能的下一代存储器与系统半导体,期望与后进业者拉开技术差距。

  为了因应中长期增加的需求,位于韩国利川与清州的建厂投资计划也照规划进行。利川M14厂为了二期工程,投资1兆韩元(约8.3亿美元)建设无尘室与电力、环境等基础设施。又为清州新厂购地,近年内还会着手整理利川新厂基地。

  SK海力士引用首尔大学经济研究所研究结果表示,透过M14厂创造的营收,到2021年为止可望为韩国引发55兆韩元产值,创造21万个就业机会。



关键词: SK海力士

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