三星开始量产HBM2标准的TSV连接4GB DRAM芯片
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三星电子2016年1月19日宣布，已开始量产HBM2标准(HBM：High Bandwidth Memory，高带宽内存)的4GB DRAM芯片。JEDEC固态技术协会12日刚刚宣布HBM2成为JEDEC标准“JESD235A”。
本文引用地址：//www.cghlg.com/article/201601/286035.htm
HBM2标准的DRAM芯片的结构。
按照HBM2标准，DRAM芯片内可纵向层叠最大8Gbit的存储器裸片，裸片之间通过TSV(硅通孔)连接。三星于2014年8月发布了配备36颗2GB DRAM的64GB服务器用RDIMM内存条，每个DRAM芯片层叠了4个4Gbit DDR4型SDRAM裸片，裸片之间通过TSV连接(参阅本站报道)。
之后，三星于2015年11月发布了配备36颗4GB DRAM的128GB服务器用RDIMM内存条，每个DRAM芯片层叠了4个8Gbit DDR4型SDRAM裸片，裸片之间通过TSV连接(英文发布资料)。该公司称，“此次的HBM2 DRAM芯片是三星将TSV应用于DRAM的最新里程碑”。
一个裸片上有5000多个TSV穿孔
此次的HBM2 DRAM芯片在1个缓冲裸片上堆叠了4个8Gbit内核裸片，通过TSV和微凸块焊接垂直连接。每个8Gbit裸片上有5000多个TSV穿孔，这一数量是之前8Gbit DDR4型SDRAM裸片的36倍以上。
另外，此次发布的DRAM芯片的存储器带宽为256GB/s，是HBM1标准DRAM芯片的2倍，是4Gbit GDDR5型DRAM(36GB/s)的7倍以上。该DRAM芯片的单位功耗带宽则是使用4Gbit GDDR5型DRAM时的2倍。另外，新产品支持ECC(错误检查和校正)功能，可靠性更高。
三星计划2016年内开始量产存储容量翻倍的8GB HBM2 DRAM芯片。该公司将面向要求高性能的网络系统及服务器等积极生产HBM2标准的DRAM。
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