一种减少VDMOS寄生电容的新结构

3 新结构的模拟结果
图3给出了新型结构A的寄生电容模拟结果，从模拟结果来看，新型结构A增大了栅下耗尽区宽度，改变了栅下耗尽区的形状，减小了栅漏电容Cgd对输入电容、输出电容没有较大影响，在一定程度上减小了反馈电容。
栅电荷是比输入电容更有用的参数，从电路设计的角度，由Qg=Igt可得到使器件在理想开启时间内所需的栅电流值。栅电荷Qg是功率MOSFET两个最重要的参数之一(另一参数为Ron)。使用非零的Vds提供Qg-Vgs曲线已经成为一种工业标准。在曲线里包含五种信息：共源输入电容Ciss；共源反向传输电容Crss；使器件开启必须加在栅上的电荷量；得到器件理想开关速度所需的栅电荷；器件在开关期间所损耗的能量。
电源电路设计工程师使用这些信息设计驱动电路，并估汁器件性能。采用TCAD(ISE)对新型结构A进行了模拟，模拟结果如图4所示。

可以明显看出新型结构A的栅电荷明显比一般结构的栅电荷小很多，Qg定义为Vgs=12 V时栅上所存贮的电荷，新型结构A和一般VDMOS结构栅电荷分别为20．25 nC和30．57 nC，减小了33．67％。

4 结 语
本文提出一种减小VDMOS寄生电容，提高其动态特性的新结构。并用TCAD(ISE)软件对其模拟。从模拟分析结果可看出，新型结构A与传统VDMOS相比，能有效减小反馈电容及栅电荷，提高VDMOS器件的开关速度，提高器件的动态性能。