一种低温漂低功耗的简易带隙基准电压设计
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1．2 与温度无关的基准
带隙基准的核心，就是将有着正负相反温度系数的电压以适当的系数加权，得到零温度系数的电压量。本设计中用到的负温度系数电压，是PN结的正向电压，也就是BJT的发射结正偏电压。双极型晶体管的集电极电流和基极发射极电压的关系：
式中，Is是双极型晶体管的饱和电流，Eg是硅的禁带宽度。当VBE≈0．75 v，T=300 K时，
。注意，该温度系数本身与温度有关，可能会引起误差。相同的双极型晶体管在不等的电流密度下工作，它们的基极发射极电压差值与绝对温度成正比，利用这个关系，建立一个带正温度系数电压。假设BJT的饱和电流，Is1=Is2=Is，集电极电流分别为nI0和I0，那么：
根据以上分析，完全可以利用这2种带有相反温度系数的电压设计一个零温度系数的电压基准。假设
，已知
，取α=1，则只需βlnn≈17．2，即可满足
，实现了零温度系数基准电压VREF。1．3 参数确定
电路整体设计如图3所示。本文引用地址：//www.cghlg.com/article/180705.htm
其输出电压的表达式：
式中，n是VQ1的BJT并联数，m是流经R2和R1的电流比值，等于Vp3和Vp1的宽长比。
在调试电路时应该注意，Vp1、Vp2、VN1、VN2和电阻组成提供偏置的电流源，因此Vp1和Vp2、VN1和VN2应该尽量匹配，对称设计，且管子尺寸稍大。同时，使VN1和VN2的源极电压值尽可能相等。
在原理设计中，多次进行理性化估计，实际测试中存在的误差在所难免。为了达到最优效果，必须在测试中不断修正电路参数，然后再做测试。同时也应意识到，任何一个电路的各个指标都是相互影响相互制约的，应根据需要调整，以保证整体设计效果。
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