中周模型在Multisim中的实现
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晶体管参数yie，yoe，yfe和yre分别为：
式中：rb'b为基极体电阻，一般为几十欧姆；Cb'c为集电极电容，一般为几皮法；Cb'e为发射极结电容，一般为几十皮法至几百皮法。
晶体管高频分布参数与静态工作电流Ic、电流放大系数β和工作频率ω有关，晶体管手册中给出的参数是在上述条件给定的情况下测得的。高频电路的参数计算采用工程估算方法，如在f0=30 MHz，Ie=2 mA，Uce=8 V条件下测得3DG6C的参数为：gie=1／rie=2 mS，Cie=12 pF，goe=1／roe=250 mS，Coe=4 pF，|yfe|=40 mS，|yre|=350μS。本文引用地址：//www.cghlg.com/article/177407.htm
根据实验需要，输入信号的频率是12 MHz，从表1中选择3GD6C即可满足要求。估算时参照其在f0=30 MHz，Ie=2 mA和Uce=8 V条件下的工作参数。
图2所示的等效电路中，P1为晶体管集电极接入系数，P1=N1／N2；N2为电感L线圈的总匝数；P2为输出变压器T的副边与原边的匝数比，P2=N3／N2。
通常小信号放大器的下一级仍为放大器，放大器的输出负载电导gL将是下一级放大器的输入导纳gie2。并联回路的总电导g∑表达式为：
当放大器处于谐振时，谐振频率可以由式(1)算出。
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