MMC型HVDC输电系统子模块的设计
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1个IGBT模块一般包括1个IGBT和1个反并联二极管，IGBT的损耗包括通态损耗和开关损耗，二极管损耗包括通态损耗和关断损耗。在正弦脉宽调制下，考虑温度和死区时间对IGBT和二极管通态损耗的影响，IGBT及反并联二极管的通态损耗分别为：
IGBT开关损耗随电流ic变化规律是非线性的，很难用解析表达式准确定量描述。考虑电压、电流和温度等对开关损耗的影响，将开关损耗按线性化折算，可满足设计需要。开关损耗为：
式中：fsw为载波频率；Eon，Eoff分别为IGBT开通和关断损耗；Err为快恢复二极管关断损耗，其值较小，可忽略；Uref，Iref分别为参考电压和电流；Udc为桥臂电压；Ksw／Tr_I，Ksw／Tr_U分别为IGBT开关损耗电流、电压系数；KswVD_I，KswVD_U分别为快恢复二极管开关损耗电流、电压系数；Ksw／Tr_T，KswCD_T分别为IGBT和快恢复二极管开关损耗温度系数。
6 系统热设计
热设计目的是采取措施限制IGBT及SM内的温升在合理的范围内，主要措施包括减少发热量和增强散热，增强散热包括自然冷却、强迫风
冷、液冷等散热形式。考虑MMC的热特性及对模块体积和散热效率要求，液冷为最合适的冷却方式，其散热效率高，可多模块共用，经济性高。
IGBT模块的热应力参数主要有结温和热阻。加装散热器的IGBT模块热阻主要由RthJC_I，RthCH_I，RthHA3部分组成，效电路如图4所示。本文引用地址：//www.cghlg.com/article/175872.htm
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